一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法
基本信息
| 申请号 | CN202010264995.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113495430A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113495430A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | G03F7/11（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 王科 | 申请（专利权）人 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高园园 |
| 地址 | 266555山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法，在对光刻胶层进行曝光形成曝光区和非曝光区之后，对曝光区的顶部进行处理，形成预阻挡层，或者结合负显影技术去除非曝光区，形成第一图案结构，之后对第一图案结构进行等离子体处理，使得预阻挡层发生反应形成阻挡层，并且使得阻挡层下方的光刻胶层被刻蚀，形成上宽下窄的第二图案结构。阻挡层的有利于保持第二图案结构的顶部尺寸，以及光刻胶层的钻刻，利于形成上宽下窄的第二图案结构。在衬底上形成上宽下窄的图案结构后沉积金属层，去除光刻胶实现光刻胶剥离。该过程可以采用例如正显影技术去除曝光后的光刻胶。整个过程采用的试剂不会对图案金属层以及衬底造成损伤，提高了成品率。 |
