功率器件套刻偏差电性测量结构及方法
基本信息
| 申请号 | CN202010191526.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113496904A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113496904A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;G01B7/00（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨龙康;王欢;季明华;徐怀花;张汝京 | 申请（专利权）人 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件套刻偏差电性测量结构及方法，结构包括：具有第一导电类型的衬底；形成于衬底中且相互平行的第一沟槽栅和第二沟槽栅；具有第二导电类型的阱区，形成于第一沟槽栅和第二沟槽栅之间的衬底表面；具有第一导电类型的源区，形成于阱区表面；连接源区的接触结构；接触结构在衬底表面的投影位于第一沟槽栅和第二沟槽栅在衬底表面的投影之间，且分别具有不同的第一间距的第二间距。本发明设置与接触结构具有不同间距的第一沟槽栅和第二沟槽栅，通过计算其与标准量测阈值电压的差值，得到标准阈值电压对应的套刻对准值，通过电性测试方法测量套刻偏差，相比光刻套刻量测具有更高的精度，也有助于器件仿真设计及工艺规格的设定。 |
