一种基于DSA的光刻方法
基本信息
| 申请号 | CN202010217838.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113448163A | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113448163A | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | G03F7/00（2006.01）I;G03F7/09（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 赵珂 | 申请（专利权）人 | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高园园 |
| 地址 | 266555山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于DSA的光刻方法，能够获得纳米结构，包括步骤：在半导体衬底上形成一层光刻胶，并去除中间区域的光刻胶、在左右两个端部留有侧壁光刻胶；在所述中间区域填充第一嵌段共聚物溶液形成第一嵌段共聚物层，所述第一嵌段共聚物层进行自组装、形成第一层状相；去除上述左右两个端部的侧壁光刻胶，并在左右两个端部上形成第二嵌段共聚物层，并以所述第一层状相为诱导结构、所述第二嵌段共聚物层进行自组装、形成第二层状相；去除第一层状相及第二层状相中的非目标物质，得到由目标物质构成的纳米结构。它旨在解决现有技术中由于诱导结构的存在而导致的无法获取完全的由嵌段共聚物构成的纳米结构。 |
