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提高SiC晶体生长效率及质量的方法及装置

基本信息

申请号	CN202010213648.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113445122A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113445122A	申请公布日	2021-09-28
分类号	C30B25/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	卢合强;刘佑铭;平延磊;吴荘荘	申请（专利权）人	芯恩（青岛）集成电路有限公司
代理机构	北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	高园园
地址	266555山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼
法律状态	-

摘要

本发明公开一种提高SiC晶体生长效率及质量的方法及装置，所述方法包括步骤：通过液态Si获取气态Si；通入气态CH4，CH4在设定温度下裂解，然后与气态Si发生反应，在保护气氛围下提拉、旋转籽晶以实现SiC晶体生长前沿热场的调控、稳定以及大质量SiC单晶的生长，得到SiC晶锭。所述装置用于实现所述方法包括：坩埚隔离层，加热单元；坩埚内部设有隔离单元，隔离单元设有第一出口，隔离单元上方设有连接第一气源的第一入口，坩埚的上方设有连接气体处理单元的第二出口，坩埚内部的顶部设有籽晶旋转提拉单元，籽晶旋转提拉单元的下方设有籽晶；并通过增加激光束的设置，以提供晶体生长前沿热场的调控，进而利于晶体径向生长均匀度优化和轴向温度梯度的调整。