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分离栅器件结构

基本信息

申请号 CN202010192099.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113497120A 公开（公告）日 2021-10-12
申请公布号 CN113497120A 申请公布日 2021-10-12
分类号 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 刘聪慧;季明华;张汝京;徐怀花;杨龙康 申请（专利权）人 芯恩（青岛）集成电路有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 余明伟
地址 266000山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种分离栅器件结构，包括：衬底；位于所述衬底中的控制栅结构；位于所述控制栅结构下方的分离栅结构；所述分离栅结构包括核心区和包裹所述核心区的隔离结构；所述核心区包括空气间隙层或介质层。本发明通过在功率器件的控制栅结构的下方设置具有核心区和隔离结构的分离栅结构，提供了无需连接至器件发射极或源极的分离栅结构，不但降低了器件中栅极至漏极的密勒电容，也降低了器件的导通电阻，同时简化了工艺流程。此外，还避免了对开关损耗等器件性能的影响，提升了器件击穿电压，增强产品市场竞争力。