一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811288687.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109461768A | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 申请公布号 | CN109461768A | 申请公布日 | 2019-03-12 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文; 侯同晓; 孙致祥; 贾仁需; 元磊; 张秋洁; 刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，其中，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型SiC衬底层、低掺杂第一导电类型外延层、高掺杂第一导电类型外延层、多个第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区的深度大于所述高掺杂第一导电类型外延层的厚度，第一电极和第二电极。本发明实施例通过调整表面掺杂浓度，势垒宽度减小，使得二极管的势垒降低，通过不同掺杂浓度改变金属‑半导体接触的有效势垒高度，从而减小势垒宽度，使得自由程较小的电子也可以穿透势垒，正向隧穿电流增大，相当于减小了导通电阻，因此可以通过较小的电压实现二极管导通。 |
