SiC沟槽MOS器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811288730.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411546A | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN109411546A | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC沟槽MOS器件，包括：从下到上依次层叠设置的漏极、SiC衬底层层、N型掺杂外延层、P型掺杂外延层、N型掺杂外延层；P型掺杂外延层，设置在N型掺杂外延层、P型掺杂外延层中间，且延伸至N型掺杂外延层，延伸深度不超过N型掺杂外延层厚度的一半；其中，P型掺杂外延层两侧延伸到部分N型掺杂外延层上；SiO2栅氧化层，设置在P型掺杂外延层上；栅极，设置在SiO2栅氧化层上；源极，设置在N型重掺杂外延层上两侧的部分区域；本发明实施例，降低了导电沟道中载流子碰撞或散射几率，改善了SiC MOSFET器件反型沟道载流子迁移率低的问题，提高了器件的导电性。 |
