一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法
基本信息
| 申请号 | CN201811288681.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109461646A | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 申请公布号 | CN109461646A | 申请公布日 | 2019-03-12 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文; 侯同晓; 孙致祥; 贾仁需; 元磊; 张秋洁; 刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在惰性气体与Cl2混合气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。本发明使用惰性气体与Cl2混合气体退火SiC MOSFET器件的SiO2栅氧化层，提高了SiC MOSFET器件中SiO2栅氧化层的临界击穿电场能力。 |
