一种碳化硅器件制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811288664.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109461648A | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 申请公布号 | CN109461648A | 申请公布日 | 2019-03-12 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文; 侯同晓; 张佳; 孙致祥; 贾仁需; 元磊; 张秋洁; 刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种碳化硅器件制造方法，包括如下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：将带有SiO2掩膜层的SiC外延片放入SiC刻蚀机中进行刻蚀，得到SiC沟槽；步骤3：对带有SiC沟槽的SiC外延片进行退火。本发明通过在制备SiO2掩膜层过程中采用“干法刻蚀+湿法刻蚀”，利用湿法刻蚀去除干法刻蚀SiO2掩膜层的过程中会产生的微掩膜，在制备SiC沟槽过程中采用“干法刻蚀+氧化刻蚀”，利用氧化刻蚀的方法去除干法刻蚀SiC沟槽的过程中产生的微掩膜和损伤层，解决了现有技术中微掩膜残留在刻蚀腔体内，影响碳化硅器件质量的技术问题。 |
