一种碳化硅沟槽刻蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201811288688.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411342A | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN109411342A | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/308 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文;侯同晓;张佳;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅沟槽刻蚀方法，包括以下步骤：步骤1：在SiC外延片上生长SiO2掩膜层；步骤2：利用所述SiO2掩膜层对所述SiC外延片进行第一刻蚀；步骤3：在所述SiC外延片上沉积Ni掩膜层；步骤4：剥离所述SiO2掩膜层及其表面的Ni掩膜层；步骤5：利用所述Ni掩膜层对所述SiC外延片进行第二刻蚀，形成SiC沟槽；步骤6：去除所述Ni掩膜层。本申请提出了一种在SiC外延片上形成U型SiC沟槽的顶部和底部都为圆角的方法，既可以降低器件工作时SiC沟槽底部的电场集中导致的栅氧化层提前击穿，同时也可以降低SiC沟槽顶部直角导致的栅极和源极漏电的问题。 |
