一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法
基本信息
| 申请号 | CN201811290893.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109411343A | 公开（公告）日 | 2019-03-01 |
| 申请公布号 | CN109411343A | 申请公布日 | 2019-03-01 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张晓 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法，包括：制备SiC外延片；在所述SiC外延片上生长SiO2栅氧化层；在SiH2Cl2气体环境条件下，对所述SiO2栅氧化层进行退火处理。本发明使用SiH2Cl2退火SiC MOSFET器件的SiO2栅氧化层，提高了SiC MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，提升了SiC MOSFET器件的性能。 |
