一种抗浪涌能力增强型的4H-SiC肖特基二极管及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种抗浪涌能力增强型的4H-SiC肖特基二极管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201811063584.1	申请日	-
公开（公告）号	CN109449085A	公开（公告）日	2019-03-08
申请公布号	CN109449085A	申请公布日	2019-03-08
分类号	H01L21/329（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	邵锦文; 侯同晓; 孙致祥; 贾仁需; 元磊; 张秋洁; 刘学松	申请（专利权）人	秦皇岛京河科学技术研究院有限公司
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	张捷
地址	066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种抗浪涌能力增强型的4H‑SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面生长4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层内形成P型金刚石外延层以及P型金刚石终端保护区；在P型金刚石外延层、P型金刚石终端保护区以及4H‑SiC漂移层表面形成第一钝化层；在4H‑SiC衬底下面形成欧姆接触金属层；刻蚀部分第一钝化层直到漏出4H‑SiC漂移层，在漏出的4H‑SiC漂移层表面形成肖特基接触金属层；在肖特基接触金属层上形成第一接触层，在欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在部分第一接触层、部分第一钝化层以及部分肖特基接触金属层上形成第二钝化层，以完成4H‑SiC肖特基二极管的制备。通过这种制备方法，可以保证器件在正常的静态特性下可以显著提升抗浪涌能力。