一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811064324.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109461654A | 公开（公告）日 | 2019-03-12 |
| 申请公布号 | CN109461654A | 申请公布日 | 2019-03-12 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I; H01L21/04（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/872（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 邵锦文; 侯同晓; 孙致祥; 贾仁需; 元磊; 张秋洁; 刘学松 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张捷 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种无注入型终结端结构的SiC肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：在4H‑SiC衬底上面形成4H‑SiC漂移层；在4H‑SiC漂移层上形成SiO2掺硼乳胶源层；刻蚀SiO2掺硼乳胶源层，在4H‑SiC漂移层上保留部分SiO2掺硼乳胶源层；在SiO2掺硼乳胶源层和4H‑SiC漂移层上形成第一钝化层；在4H‑SiC衬底下面制备欧姆接触金属层；刻蚀第一钝化层和SiO2掺硼乳胶源层，以漏出部分区域的4H‑SiC漂移层，在4H‑SiC漂移层上制备肖特基接触金属层；在肖特基接触金属层上形成第一接触层；在欧姆接触金属层下面形成第二接触层；在第一钝化层和部分第一接触层上形成第二钝化层，以完成SiC肖特基二极管的制备。本发明肖特基二极管，避免了离子注入给二极管带来的晶格损伤。 |
