耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构
基本信息
| 申请号 | CN201711397848.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108257856B | 公开（公告）日 | 2019-05-24 |
| 申请公布号 | CN108257856B | 申请公布日 | 2019-05-24 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/45（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 侯同晓; 邵锦文; 贾仁需; 元磊; 汤晓燕 | 申请（专利权）人 | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘长春 |
| 地址 | 066004 河北省秦皇岛市经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房间 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件的制备方法及其结构，包括以下步骤：在SiC衬底上生长N‑漂移层；在所述N‑漂移层内制备P阱；在所述P阱内制备N+源区和P+接触区；依次制备第一隔离介质层、栅极和第二隔离介质层；在所述N+源区和所述P+接触区表面制备欧姆接触孔；在所述欧姆接触孔中制备源极欧姆接触金属层；在所述源极欧姆接触金属层和所述第二隔离介质层上制备源极铜石墨烯电极；在所述SiC衬底背面依次制备漏极欧姆接触金属层和漏极电极，最终形成所述耐高温低功耗的SiC MOSFET功率器件。在本实施例中，通过磷离子注入结合低温氧化对界面形成磷钝化的效果，源极电极采用铜石墨烯复合材料，提高了器件耐高温的性能降低了器件的功耗。 |
