一种晶圆的背封工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110996641.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707536A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707536A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 安云富;丁振宇;侯龙;赵超 | 申请（专利权）人 | 上海鼎泰匠芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张雪娇 |
| 地址 | 201306上海市中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶圆的背封工艺，包括：S1）将晶圆置于反应腔室内加热；S2）在反应腔室内向晶圆背面通入硅源气体与氧源气体，同时向晶圆正面通入保护性气体；所述保护性气体的流量大于硅源气体与氧源气体的流量；S3）待通入气体稳定后，在晶圆背面加载射频功率使气体反应在晶圆背面沉积二氧化硅。与现有技术相比，本发明直接在晶圆背面生长二氧化硅，并在生长二氧化硅的同时向晶圆正面通入保护性气体以防治正面有二氧化硅的沉积，还可通过调节保护性气体的流量调节晶圆背面边缘二氧化硅的覆盖范围，从而使该背封工艺不需要正面工艺且不会有正面的任何接触或者损伤。 |
