一种采用助熔剂熔盐法生长KTiOAsO<sub>4</sub>晶体的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种采用助熔剂熔盐法生长KTiOAsO₄晶体的方法

基本信息

申请号	CN201310032669.4	申请日	-
公开（公告）号	CN103088401B	公开（公告）日	2015-09-09
申请公布号	CN103088401B	申请公布日	2015-09-09
分类号	C30B9/12(2006.01)I;C30B29/32(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	王世武;贾延伟;王鸿雁	申请（专利权）人	青岛海泰光电技术有限公司
代理机构	北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	青岛海泰光电技术有限公司
地址	266107 山东省青岛市崂山区株洲路177号（惠特工业城内）
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长KTiOAsO₄晶体的方法，解决了现有熔盐法生长的KTiOAsO₄晶体存在生长纹及多畴缺陷，包裹物多、晶体均匀性差的问题，其特点是包括以下步骤：KH₂AsO₄重结晶后去头去尾；将重结晶后的KH₂AsO₄与K₂CO₃、TiO₂、氟化物加入铂坩埚，合成KTiOAsO₄、K₄As₂O₇、氟化物的均匀混合原料；顶部籽晶法生长KTiOAsO₄晶体，其中：籽晶晶向为Z向<001>，籽晶杆转速20～60rpm，籽晶杆旋转方式为正转-停止-反转，晶体生长起始温度850～950℃，温度梯度0.2～2℃/cm，降温速率0.5～2℃/day，降温40～60℃。本发明实现了高质量KTiOAsO₄晶体的重复性生长，提高了KTiOAsO₄晶体的均匀性。