一种采用助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法

基本信息

申请号 CN201310032700.4 申请日 -
公开(公告)号 CN103088425B 公开(公告)日 2016-03-30
申请公布号 CN103088425B 申请公布日 2016-03-30
分类号 C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 王世武;贾延伟;王鸿雁 申请(专利权)人 青岛海泰光电技术有限公司
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 青岛海泰光电技术有限公司
地址 266107 山东省青岛市崂山区株洲路177号(惠特工业城内)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法,解决了普通熔盐法生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度大、电导率高的问题,本发明包括以下步骤:液相合成法制备RbH2PO4;将RbH2PO4、Rb2CO3、TiO2置于铂坩埚中,再将铂坩埚迅速放入合料炉合成Rb2CO3、Rb4P2O7和RbTiOPO4的混合原料;顶部籽晶提拉法生长RbTiOPO4晶体:籽晶方向为<001>、籽晶杆转速20~60rpm、籽晶杆的旋转方式为转-停止-反转,提拉速率0.5~1mm/day,晶体生长起始温度为840~940℃,降温速率0.5~2℃/day、降温40~60℃。本发明生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度小,电导率比普通晶体电导率低3~4数量级,且具有良好的耐电压和调制性能。