一种采用助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法
基本信息
申请号 | CN201310032700.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103088425B | 公开(公告)日 | 2016-03-30 |
申请公布号 | CN103088425B | 申请公布日 | 2016-03-30 |
分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 王世武;贾延伟;王鸿雁 | 申请(专利权)人 | 青岛海泰光电技术有限公司 |
代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 青岛海泰光电技术有限公司 |
地址 | 266107 山东省青岛市崂山区株洲路177号(惠特工业城内) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提出了一种采用新型助熔剂熔盐法生长RbTiOPO4晶体的方法,解决了普通熔盐法生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度大、电导率高的问题,本发明包括以下步骤:液相合成法制备RbH2PO4;将RbH2PO4、Rb2CO3、TiO2置于铂坩埚中,再将铂坩埚迅速放入合料炉合成Rb2CO3、Rb4P2O7和RbTiOPO4的混合原料;顶部籽晶提拉法生长RbTiOPO4晶体:籽晶方向为<001>、籽晶杆转速20~60rpm、籽晶杆的旋转方式为转-停止-反转,提拉速率0.5~1mm/day,晶体生长起始温度为840~940℃,降温速率0.5~2℃/day、降温40~60℃。本发明生长的RbTiOPO4晶体点缺陷密度小,电导率比普通晶体电导率低3~4数量级,且具有良好的耐电压和调制性能。 |
