一种用于电容测量的高精度可快速插拔样品托

基本信息

申请号 CN202021680803.3 申请日 -
公开(公告)号 CN213398732U 公开(公告)日 2021-06-08
申请公布号 CN213398732U 申请公布日 2021-06-08
分类号 G01R27/26;G01R1/18;G01R1/067 分类 测量;测试;
发明人 丛君状;申世鹏;申见昕 申请(专利权)人 多场低温科技(北京)有限公司
代理机构 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 代理人 刘棚滔
地址 100190 北京市海淀区中关村恒兴大厦
法律状态 -

摘要

摘要 一种用于电容测量的高精度可快速插拔样品托,包括样品公托绝缘板、多个公托金属覆层、样品母座绝缘板、多个母座金属覆层和金属插针;样品公托绝缘板与样品母座绝缘板通过金属插针连接;多个公托金属覆层均布设置在样品公托绝缘板的上下两面;公托绝缘板上设置多个公托屏蔽保护插针和多个公托信号传输插针;每个公托信号传输插针对应一个公托金属焊盘;每个公托屏蔽保护插针对应一圈金属化过孔;母座绝缘板设置多个母座屏蔽保护插针和母座信号传输插针。本实用新型实现电磁屏蔽的功能,独特的信号传输和屏蔽保护设计,在测量电容时减小样品托本身带来的寄生电容,提高电容测量样品托的测量精度,同时,可插拔设计提高样品测量的效率。