一种用于电容测量的高精度可快速插拔样品托
基本信息
| 申请号 | CN202021680803.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213398732U | 公开（公告）日 | 2021-06-08 |
| 申请公布号 | CN213398732U | 申请公布日 | 2021-06-08 |
| 分类号 | G01R27/26;G01R1/18;G01R1/067 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 丛君状;申世鹏;申见昕 | 申请（专利权）人 | 多场低温科技（北京）有限公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘棚滔 |
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村恒兴大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于电容测量的高精度可快速插拔样品托，包括样品公托绝缘板、多个公托金属覆层、样品母座绝缘板、多个母座金属覆层和金属插针；样品公托绝缘板与样品母座绝缘板通过金属插针连接；多个公托金属覆层均布设置在样品公托绝缘板的上下两面；公托绝缘板上设置多个公托屏蔽保护插针和多个公托信号传输插针；每个公托信号传输插针对应一个公托金属焊盘；每个公托屏蔽保护插针对应一圈金属化过孔；母座绝缘板设置多个母座屏蔽保护插针和母座信号传输插针。本实用新型实现电磁屏蔽的功能，独特的信号传输和屏蔽保护设计，在测量电容时减小样品托本身带来的寄生电容，提高电容测量样品托的测量精度，同时，可插拔设计提高样品测量的效率。 |
