一种差分架构只读存储单元
基本信息
| 申请号 | CN201410495362.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104299648B | 公开（公告）日 | 2017-12-26 |
| 申请公布号 | CN104299648B | 申请公布日 | 2017-12-26 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 翁宇飞;李力南 | 申请（专利权）人 | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇智胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏秀莉 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种差分架构只读存储单元，每个单元包括四条位线支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一条字线WL，所述支路BL1和支路BL1B之间构成差分对，所述支路BL2和支路BL2B之间构成差分对，每个差分对之间共用两个MOS场效应晶体管。采用本发明技术方案，差分架构ROM单元一定程度上扩大器件读操作时可区分的电流范围，同时读取时采用两条支路对比输入差分放大器，可以避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高了读取的稳定性，具有广阔的市场应用前景。 |
