一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元
基本信息
| 申请号 | CN201610884512.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106531210B | 公开（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申请公布号 | CN106531210B | 申请公布日 | 2019-11-05 |
| 分类号 | G11C16/04（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 翁宇飞; 李力南 | 申请（专利权）人 | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇智胜知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 魏秀莉 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇中山东路70号2307室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明是一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，该存储单元由P型NVM存储单元及NBTI恢复电路组成，所述P型NVM存储单元为浮栅型架构或者为基于标准CMOS工艺的逻辑结构NVM存储单元。本发明在传统P型NVM存储单元的基础上，采用差分架构，保证输入差分放大器的位线信号的匹配性，增加了存储单元的可靠性和稳定性，同时增加了恢复电路来降低P型NVM在高压工作之后的NBTI效应影响，可以有效地降低电路功耗，提高存储器整体的稳定性。所述存储单元稳定性得到明显改进，具有很重要的研究意义和广阔的市场前景。 |
