一种半导体三极管表面LPCVD钝化膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110936925.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113755946A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113755946A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | C30B28/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 孙金凯;叶婵;于佳宁;毛英女;秦达;马叙广;张洪艳;张阳;王丹;谢胜涛 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨晶体管厂 |
| 代理机构 | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 | 代理人 | 王新雨 |
| 地址 | 150000黑龙江省哈尔滨市道里区上游街9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体三极管表面LPCVD钝化膜及其制备方法，属于芯片钝化膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有半导体三极管性能不稳定的问题，所述钝化膜由硅氧多结构混合物和氮化硅两层组成，其中硅氧多结构混合物贴近三极管，氮化硅在外侧贴近外界。在现有三极管光刻之后，将三极管放入LPCVD设备中，同时通入笑气、硅烷和惰性气体的混合物，控制笑气与硅烷的体积比为20:80，沉积掺氧多晶硅，然后再改为通入氨气、硅烷和惰性气体的混合物，控制氮气和硅烷的体积比为50:18，沉积氮化硅。本发明加入LPCVD工艺作为表面保护结构，强化其可靠性，稳定性。由原产品参数在‑50℃～150℃和室温的参数变化率25～30％，降至20％以下。 |
