MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室
基本信息
| 申请号 | CN202110665454.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113403609A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113403609A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 颜建;黄勇 | 申请（专利权）人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京律和信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 谢清萍;刘兴 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋矩阵光电 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括：天棚；石墨基座，位于天棚的下方，天棚与石墨基座之间形成气体流道，石墨基座的上表面设有多个凹槽，凹槽的侧壁上设有进气口；多个石墨盘，分别设置于对应的凹槽内，进气口位于石墨盘上方；多个盖板，分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方，盖板关闭时遮盖对应的石墨盘；第一气路，穿过天棚连通气体流道；第二气路，穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长，提高研发的效率。 |
