一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011333356.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112397637A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112397637A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01L43/04(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张乐乐 |
| 地址 | 215614江苏省苏州市张家港市凤凰镇科创园D栋，矩阵光电 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面的中心紧贴设置。本发明通过磁性层的作用，使得在磁场中，通过霍尔元件功能区的磁力线密度大幅增加，放大外界磁感应强度，从而同步提升霍尔元件的灵敏度，并且不增加工艺复杂性和成本。 |
