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一种半导体激光器及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910399336.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111952840A	公开（公告）日	2020-11-17
申请公布号	CN111952840A	申请公布日	2020-11-17
分类号	H01S5/187	分类	基本电气元件;
发明人	不公告发明人	申请（专利权）人	苏州矩阵光电有限公司
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	苏州矩阵光电有限公司
地址	215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋，矩阵光电
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本发明实施例提供的半导体激光器，在衬底上形成有贯穿衬底的通孔，该通孔露出发光层远离出光镜面的第一表面，在发光层露出的第一表面上沉积有反射层，反射层与出光镜面共同构成半导体激光器的谐振腔，该半导体激光器反射层为沉积形成，与发光层的第一表面结合的较为紧密，使得半导体激光器的良率高，解决了现有技术中采用Bonding方式形成反射层不易在大面积晶圆上制作且制作后反射层与发光层表面结合不够紧密导致的良率较差的问题。