制造化合物半导体霍尔元件的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110559624.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299824A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299824A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L43/14（2006.01）I;H01L43/06（2006.01）I;H01L43/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡双元;朱忻 | 申请（专利权）人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京毕科锐森知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王静;王家毅 |
| 地址 | 215600江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科技大道科技园D栋矩阵光电 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明的实施例公开了一种制造化合物半导体霍尔元件的方法。所述方法包括在半导体单晶衬底上外延生长化合物半导体材料膜，作为所述化合物半导体霍尔元件的磁感应功能层；在化合物半导体材料膜和基板的至少一个的表面上涂覆粘结层，并通过粘结层将化合物半导体材料膜与基板面对面键合在一起；选择性移除半导体单晶衬底和化合物半导体材料膜的一部分，并且通过图形化工艺来形成磁感应部；在磁感应部的周边形成电极部；在磁感应部和电极部的至少一部分上形成一保护层并且暴露出电极部的金属接触区域。该磁感应部的迁移率高和方块电阻高，从而该化合物半导体霍尔元件的灵敏度高和功耗低。 |
