制备InSb功能层的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110099762.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112802961A | 公开（公告）日 | 2021-05-14 |
| 申请公布号 | CN112802961A | 申请公布日 | 2021-05-14 |
| 分类号 | H01L43/14;H01L43/04 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 颜建;胡双元;黄勇;李鑫;吴文俊 | 申请（专利权）人 | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京律和信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 武玉琴;谢清萍 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋矩阵光电 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种制备InSb功能层的方法，包括：提供III‑V族化合物半导体单晶衬底；在所述III‑V族化合物半导体单晶衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长晶格常数匹配的过渡层；在所述过渡层上生长InSb功能层。根据本申请实施例的制备InSb功能层的方法，减少由于失配引起的InSb功能层的晶格失配位错密度，提高InSb功能层的晶体质量，从而有效的提高Insb霍尔元件的性能。 |
