半导体器件结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201810754787.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108417639B | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN108417639B | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海涛;张永熙;陈伟 | 申请（专利权）人 | 上海颛芯企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新宇 |
| 地址 | 201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：在衬底上依次生成第一和第二介质层；对第二介质层刻蚀处理形成第一注入区域；对第一注入区域第一离子注入处理形成掺杂区域；在第二介质层上依次生成第三和第四介质层；对第四介质层边墙刻蚀处理形成第二注入区域；对第二注入区域第二离子注入处理，在衬底中形成源极区域以及体区域。根据本公开的实施例，能够在衬底的第一注入区域上生成介质层，对介质层边墙刻蚀以形成第二注入区域并进行第二次离子注入，在衬底中形成半导体器件的源极区域以及体区域，从而准确控制源极区域及体区域，进而准确控制器件的沟道长度，提高MOS器件的性能。 |
