半导体器件结构及形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201811351771.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109285783A | 公开（公告）日 | 2019-01-29 |
| 申请公布号 | CN109285783A | 申请公布日 | 2019-01-29 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海涛;张永熙;陈伟 | 申请（专利权）人 | 上海颛芯企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新宇 |
| 地址 | 200131 上海市自由贸易试验区富特西一路99号五层501-B5室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及半导体器件结构及形成方法，所述方法包括：在衬底上依次生成第一介质层、第二介质层及第三介质层；依次对所述第三介质层、所述第二介质层进行刻蚀，形成第一注入区域；对所述第一注入区域进行第一离子注入处理，在所述衬底中形成掺杂区域；通过热氧化法对所述第二介质层进行氧化处理，生成围绕所述第二介质层的第四介质层，并形成第二注入区域；对所述第二注入区域进行第二离子注入处理，在所述衬底中形成半导体器件的源极区域。本公开通过可以准确控制源极区域，进而准确控制器件的沟道长度，提高MOS器件的性能。 |
