半导体器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201811425758.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109585284A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 申请公布号 | CN109585284A | 申请公布日 | 2019-04-05 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄海涛; 张永熙; 陈伟 | 申请（专利权）人 | 上海颛芯企业管理咨询合伙企业（有限合伙） |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新宇 |
| 地址 | 200131 上海市自由贸易试验区富特西一路99号五层501-B5室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及半导体器件及其形成方法，该方法包括：在衬底上依次形成半导体器件的体区域及源区域；对源区域、体区域及衬底依次进行刻蚀处理，形成沟槽；在刻蚀后的源区域及所述沟槽的表面上形成第一多晶硅层；对第一多晶硅层进行刻蚀处理，以在沟槽的底部形成第二多晶硅层；对源区域、沟槽的侧壁进行氧化处理以形成第一栅氧化层，并对第二多晶硅层进行氧化处理以形成第二栅氧化层；在氧化处理后的沟槽中形成第三多晶硅层，以形成半导体器件的栅结构。本公开通过以上工艺流程，形成高可靠性的双栅氧结构，可以降低半导体器件多晶硅栅与外延层之间的电场以及降低多晶硅栅和半导体器件的漏极之间的寄生电容，从而提高半导体器件的可靠性。 |
