一种功率器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110451116.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112992818B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN112992818B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 成年斌;袁毅凯;詹洪桂;徐衡基;高文健;杨宁 | 申请（专利权）人 | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 广东广盈专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 李俊 |
| 地址 | 528051广东省佛山市禅城区华宝南路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件及其制作方法，具体涉及到半导体器件领域。功率器件包括结构封装体、支架板、芯片和散热体，散热体包括层叠设置的接触导电层和高绝缘高导热层；芯片的底面贴合设置在支架板的顶面上，位于散热体底面一侧的接触导电层贴合设置在芯片的顶面上；支架板、芯片和散热体基于结构封装体封装，支架板的底面外露于结构封装体，散热体的顶面外露于结构封装体。该功率器件通过在芯片的顶面设置散热体，可利用散热体提高封装器件的散热效率并提高封装器件的使用寿命。 |
