半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110452914.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113161244A | 公开（公告）日 | 2021-07-23 |
| 申请公布号 | CN113161244A | 申请公布日 | 2021-07-23 |
| 分类号 | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/488 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹光龙;梁栋 | 申请（专利权）人 | 晨宸辰科技有限公司 |
| 代理机构 | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李浩 |
| 地址 | 201615 上海市松江区九亭镇九亭中心路1158号21幢1603、1604室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一衬底、在第一衬底上的第一焊盘层和在第一衬底上且露出第一焊盘层的钝化层；形成覆盖钝化层的牺牲层，牺牲层露出第一焊盘层；形成覆盖第一半导体结构的第一接合层，第一接合层包括在第一焊盘层上的金属阻挡层和在金属阻挡层上的抗氧化层；去除牺牲层和第一接合层的位于牺牲层上的一部分，保留第一接合层的位于第一焊盘层上的另一部分；提供第二半导体结构，第二半导体结构包括：第二衬底和在第二衬底中的第二焊盘层；在第二焊盘层上形成第二接合层；和将第一接合层与第二接合层相接合以将第一半导体结构与第二半导体结构对接。 |
