纳米ZnO填充改性PEEK薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201010258955.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102372898A | 公开（公告）日 | 2012-03-14 |
| 申请公布号 | CN102372898A | 申请公布日 | 2012-03-14 |
| 分类号 | C08L61/16(2006.01)I;C08K3/22(2006.01)I;B29C47/12(2006.01)I;B29C47/92(2006.01)I;B29C55/04(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 刘楠;吴杰;马俊杰;李峰;王兴年;黄水萍;孙东岩 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨鑫达高分子材料工程中心有限责任公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 150066 黑龙江省哈尔滨市经开区哈平路集中区大连北路9号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种新材料，具体为纳米ZnO填充改性PEEK薄膜，纳米ZnO填充改性PEEK薄膜由以下重量份组成：85％～99.9％的PEEK纯树脂和0.1～15％的纳米ZnO。本发明纳米ZnO填充改性PEEK薄膜的制备方法如下：(1)按重量份称取原材料；(2)将所有原料在室温下利用超高速混合机进行简单混合，使其混合均匀；(3)将混合好的原料加到螺杆挤出机中，在330～420℃的温度下经T型机头熔融挤出，制成平片状薄膜。(4)将制备的平片状薄膜在155～260℃纵向单轴拉伸，得到具有一定取向度的薄膜。即获得本发明的纳米ZnO填充PEEK薄膜。本发明纳米ZnO填充改性PEEK薄膜具有优良的耐高温、透光性及抗紫外线性能，除此之外还保持了PEEK薄膜优良的力学性能。 |
