一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法

基本信息

申请号 CN202110068716.5 申请日 -
公开(公告)号 CN112899641A 公开(公告)日 2021-06-04
申请公布号 CN112899641A 申请公布日 2021-06-04
分类号 C23C16/27;C23C16/02;C23C16/458;C23C16/52 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 徐金昌;赵小玻;訾蓬;王传奇;李小安;曹延新;毕涵;玄真武;田龙;陈相栋 申请(专利权)人 中材人工晶体研究院(山东)有限公司
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 洪秀凤
地址 250200 山东省济南市章丘市双山街道经十东路7888号双创基地A15晶体楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种双面掺硼金刚石薄膜电极的制备方法,包括基体预处理、植晶、双面掺硼金刚石薄膜沉积,沉积步骤包括将基体卡设于热丝化学气相沉积装置的基台中,调整基台位于热丝化学气相沉积装置的由通过支撑装置支撑的多根相互平行的热丝组成的上下两组热丝组之间的位置,使基体与上下热丝组平行,抽真空后通氢气、甲烷和三甲基硼烷,用电极对热丝组加热得到双面掺硼金刚石薄膜电极。本发明在沉积薄膜时,基体处于两组热丝组间,可同时在基体上下面沉积薄膜,提高沉积效率;本发明热丝由支撑装置支撑,支撑装置对热丝起支撑作用,阻止热丝通电加热的下垂,使热丝整体与基体的间距基本保持不变,温度场均匀,保证成膜质量,薄膜沉积成功率高。