一种掺硼金刚石薄膜电极复合基体及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202110070136.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112919587A | 公开(公告)日 | 2021-06-08 |
申请公布号 | CN112919587A | 申请公布日 | 2021-06-08 |
分类号 | C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;B22F7/06;B22F10/38;B33Y10/00;B33Y80/00 | 分类 | 水、废水、污水或污泥的处理; |
发明人 | 李小安;徐金昌;訾蓬;赵小玻;王传奇;曹延新;王忠伟;张阁 | 申请(专利权)人 | 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 |
代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 洪秀凤 |
地址 | 250200 山东省济南市章丘市双山街道经十东路7888号双创基地A15晶体楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种掺硼金刚石薄膜电极复合基体,包括基体下部和位于基体下部上表面的用于沉积掺硼金刚石薄膜的基体上部;基体下部为陶瓷材料,基体上部为金属材料;基体下部上表面设置凹槽,基体上部下表面设置与凹槽匹配的凸出部,凹槽用于卡设凸出部。本发明基体上部的凸出部卡设于基体下部的凹槽中,两者相互配合,增强不同材质的基体上部与基体下部的结合性。本发明基体上部为沉积掺硼金刚石薄膜的部分,基体下部用于提供力学支撑,增强基体承受流体冲刷的能力。本发明基体下部为陶瓷材料,耐腐蚀性强,基体上部沉积掺硼金刚石薄膜后,耐腐蚀性弱的基体上部与流体被掺硼金刚石薄膜隔离,复合基体整体耐腐蚀性得到提高,使用寿命长。 |
