一种金刚石膜氧化硼掺杂方法
基本信息
| 申请号 | CN202110079663.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899644A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899644A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C23C16/27;C23C16/448 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 訾蓬;赵小玻;徐金昌;李小安;王传奇;曹延新;玄真武;杨子萱;王艳蔚 | 申请（专利权）人 | 中材人工晶体研究院（山东）有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵奕 |
| 地址 | 250200 山东省济南市章丘市双山街道经十东路7888号双创基地A15晶体楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种金刚石膜氧化硼掺杂方法，所述方法采用热丝气相沉积法制备掺硼金刚石薄膜时，通过在基片平台的周边均匀设置若干开口面积相等的容器，将氧化硼粉放置于容器中，在热丝加热时同时加热容器中的氧化硼粉形成高温气化，实现掺硼金刚石薄膜的制备。本发明通过在基片平台周边设置若干开口面积相等的容器，并在容器中盛放氧化硼粉，通过控制盛放粉体的数量，就可以控制参加气化的氧化硼数量，并通过采用不同高度的空心立管作为容器，可以控制氧化硼与热丝的距离，从而控制氧化硼的接触温度，从而间接调整氧化硼的气化速度，选择一个合适的高度和数量，从而在其他条件一定的情况下，控制硼掺杂的浓度，使硼在沉积过程中的均匀高效掺杂。 |
