一种掺硼金刚石薄膜电极基体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110070132.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112899643A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112899643A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | C23C16/27;C23C16/02;B22F3/11;B22F5/10;B22F7/08;B33Y80/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐金昌;李小安;王传奇;曹延新;訾蓬;赵小玻;毕涵;玄真武;王艳蔚 | 申请（专利权）人 | 中材人工晶体研究院（山东）有限公司 |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 洪秀凤 |
| 地址 | 250200 山东省济南市章丘市双山街道经十东路7888号双创基地A15晶体楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种掺硼金刚石薄膜电极基体的制备方法，包括：S1、准备第一金属原料，利用第一金属原料制备基体下部；S2、准备第二金属原料，利用第二金属原料在基体下部的上表面上通过3D打印技术打印出具备多孔结构的基体上部；其中，第一金属原料为抗腐蚀性金属；第二金属原料为使第二金属原料制备出的基体上部在沉积掺硼金刚石薄膜时可形成碳化物层的金属。本发明制备方法的第二金属原料制备出的基体上部在沉积掺硼金刚石薄膜时可形成碳化物层，无需在制备得到的基体表面溅射过渡层即可实现良好的膜基结合性；本发明制备的基体上部为多孔结构，沉积掺硼金刚石薄膜时沉积面积大，无需对基体上部进行增加表面面积的预处理，简化工艺、节约成本。 |
