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一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法

基本信息

申请号 CN201310655598.3 申请日 -
公开（公告）号 CN104697639B 公开（公告）日 2018-12-07
申请公布号 CN104697639B 申请公布日 2018-12-07
分类号 G01J5/00 分类 测量；测试;
发明人 马铁中;严冬;王林梓;刘健鹏;焦宏达 申请（专利权）人 南昌昂坤半导体设备有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘杰
地址 100191 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOCVD反应腔及光学探测器，MOCVD反应腔包括外延片，MOCVD反应腔的顶部设有探测窗口，光学探测器通过探测窗口向外延片发出波长分别为λ1和λ2的探测光束，光束外延片反射后形成的反射光束由光学探测部分探测。该方法根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点；将点对应的温度T的值代入公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法及装置实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。