一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法
基本信息
| 申请号 | CN201310655576.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104697638B | 公开（公告）日 | 2018-12-25 |
| 申请公布号 | CN104697638B | 申请公布日 | 2018-12-25 |
| 分类号 | G01J5/00;G01J5/08 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 严冬;马铁中;王林梓;刘健鹏;焦宏达 | 申请（专利权）人 | 南昌昂坤半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值‑温度曲线上描出与实际热辐射比值对应的点，将点对应的温度T的值代入计算公式，分别得到校准系数m1和m2。该方法能够得到双波长测温结构中第一种波长λ1和第二种波长λ2分别对应的校准系数m1和m2，从而实现了MOCVD设备实时测温系统自校准，能够保证外延片生长温度测量一致而又精确。 |
