一种薄膜生长的实时测温方法
基本信息
| 申请号 | CN201310655561.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104697637B | 公开（公告）日 | 2018-12-07 |
| 申请公布号 | CN104697637B | 申请公布日 | 2018-12-07 |
| 分类号 | G01J5/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 马铁中;严冬;王林梓;刘健鹏;焦宏达 | 申请（专利权）人 | 南昌昂坤半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 102206 北京市昌平区昌平路97号新元科技园B座503室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生长反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到薄膜生长反应腔内薄膜的温度。该方法由于双波长测温结构所依附的薄膜生长反应腔经过校准，计算得到的薄膜的温度值更接近真值。 |
