LCOS中的单边结构静态存储器
基本信息
| 申请号 | CN200410068144.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1773628A | 公开（公告）日 | 2006-05-17 |
| 申请公布号 | CN1773628A | 申请公布日 | 2006-05-17 |
| 分类号 | G11C11/412(2006.01);G11C11/419(2006.01) | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 陈欣;尚为兵;印义中;印义言 | 申请（专利权）人 | 上海华园微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 上海华园微电子技术有限公司 |
| 地址 | 200233上海市宜山路900号A区六楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及LCOS中的单边结构静态存储器，第五CMOS管(T5)的漏极与D线相连，栅极与字线W相连，源极与第三CMOS管(T3)的源极和第一CMOS管(T1)的源极相连并与第四CMOS管(T4)的栅极和第二CMOS管(T2)的栅极连接；第三CMOS管(T3)的栅极和第一CMOS管(T1)的栅极相连并与第四CMOS管(T4)的源极和第二CMOS管(T2)的漏极连接，作为输出与象素电极连接，用于显示；第一CMOS管(T1)的源极和第二CMOS管(T2)的源极连接并与地连接；第三CMOS管(T3)的漏极与VCC连接；第四CMOS管(T4)的漏极与VCC连接；数据的写入由一根数据线决定，单个SRAM存像素器的面积可减小15％以上，对于HDTV解象度的显示芯片，相应减少了SRAM组成的像素阵列及液晶盒面积。 |
