水热法生长磷氯铅矿单晶的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810763846.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108796600B | 公开（公告）日 | 2018-11-13 |
| 申请公布号 | CN108796600B | 申请公布日 | 2018-11-13 |
| 分类号 | C30B7/10(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 任孟德;童静芳;程煜;周海涛;何小玲;杨利;吴文渊;李东平;左艳彬;王金亮;张昌龙 | 申请（专利权）人 | 桂林百锐光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 唐智芳 |
| 地址 | 541004广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。 |
