一种二氧化碲单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011502352.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112725877A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN112725877A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | C30B7/10;C30B29/46 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 童静芳;周海涛;何小玲;左艳彬;王金亮;覃世杰;张昌龙;李东升;吴文渊;宋旭东 | 申请（专利权）人 | 桂林百锐光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姚晓丽 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法，属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法，包括如下步骤：将水热反应物置于石英衬套管的底部，再加入水，将所述石英衬套管密封后，加热混匀，然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中；在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水，将所述高压釜密封，再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中，设置溶解区和生长区的温度，进行程序降温，即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶，可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力<100MPa的情况下，在5d‑10d内快速生长出结晶完整、无明显杂质缺陷、高质量的二氧化碲单晶。 |
