一种复合YAG晶体的制备方法

基本信息

申请号 CN202110308671.4 申请日 -
公开(公告)号 CN113122908A 公开(公告)日 2021-07-16
申请公布号 CN113122908A 申请公布日 2021-07-16
分类号 C30B7/10(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 童静芳;覃世杰;周海涛;何小玲;左艳彬;王金亮;张昌龙 申请(专利权)人 桂林百锐光电技术有限公司
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 代理人 姚晓丽
地址 541004广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种复合YAG晶体的制备方法,属于复合晶体生长技术领域。其包括如下步骤:将纯YAG晶体定向、切割和抛光,制成籽晶后,悬挂于籽晶架上;将水热反应物置于黄金衬套管的底部,再放入矿化剂溶液,然后将籽晶架置于黄金衬套管的顶部,密封后置于高压釜的釜体中;在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水,将高压釜密封,再将密封后的高压釜置于电阻炉中,程序升温,经过10d‑15d的生长,再程序降温,打开高压釜,取出黄金衬套管,即得到复合YAG晶体。本发明可以在10d‑15d生长出无明显杂质缺陷、高质量、大尺寸的复合YAG晶体。