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高光响应近红外光电探测器

基本信息

申请号 CN201410229544.5 申请日 -
公开（公告）号 CN104638036B 公开（公告）日 2017-11-10
申请公布号 CN104638036B 申请公布日 2017-11-10
分类号 H01L31/0272(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 唐江;冷美英;罗苗;夏哲 申请（专利权）人 武汉光电工业技术研究院有限公司
代理机构 武汉帅丞知识产权代理有限公司 代理人 武汉光电工业技术研究院有限公司
地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号
法律状态 -

摘要

摘要 一种高光响应近红外光电探测器，其特征在于：具体结构为透明惰性基底/硒化锑薄膜/电极，其中硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜；所述后硒化处理为：将硒化锑薄膜在硒氛围中进行退火处理，其中：所述硒氛围的硒蒸气分压为1～10000Pa，退火温度为150～400℃，处理时间为5～30min；或在硒化锑薄膜表面沉积一层硒，然后再进行退火处理，其中：沉积的硒的厚度为1～500nm，退火温度为150～400℃，退火时间为10～60min。本发明的高光响应近红外光电探测器的原材料丰富，价格低廉，工艺简单、经济、可操作性强，且具有高灵敏度。