低噪声雪崩光电探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610047625.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105576072B | 公开（公告）日 | 2018-02-23 |
| 申请公布号 | CN105576072B | 申请公布日 | 2018-02-23 |
| 分类号 | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵彦立 | 申请（专利权）人 | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430075 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼B4座6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低噪声雪崩光电探测器及其制备方法，该低噪声雪崩光电探测器包括通过扩散、离子注入依次形成不同掺杂类型的N型欧姆接触层/P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层，且电荷层与P型欧姆接触层/N型欧姆接触层之间的底部形成有衬底；所述电荷层、P型欧姆接触层/N型欧姆接触层与衬底之间形成一个倒梯形凹槽；所述倒梯形凹槽内形成有吸收层。所述P型欧姆接触层和N型欧姆接触层上分别设有P型电极和N型电极。本发明的特点是改进一维纵向雪崩光电探测器为二维横向结构，通过降低倍增层的有效厚度到纳米尺寸，利用纳米倍增区的死区效应降低k值。 |
