一种微波等离子体化学气相沉积装置
基本信息
| 申请号 | CN201810566023.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110565160A | 公开（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申请公布号 | CN110565160A | 申请公布日 | 2019-12-13 |
| 分类号 | C30B25/08（2006.01）; C30B25/14（2006.01）; C30B29/04（2006.01）; C23C16/27（2006.01）; C23C16/44（2006.01）; C23C16/517（2006.01）; C23C16/511（2006.01）; C23C16/513（2006.01）; C23C16/455（2006.01） | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘胜; 沈桥; 甘志银 | 申请（专利权）人 | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京纽乐康知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 |
| 地址 | 528251 广东省佛州市南海区平洲南港大街5号1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公布了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括上部腔体、下部腔体、中心轴、样品台、密封绝缘件、绝缘支撑件、进气口和出气口。中心轴设置在反应腔上方，并和反应腔形成微波馈入的同轴波导。设置在反应腔下方的样品台用于放置衬底，面对样品台一侧的中心轴设置有凹陷结构表面。密封绝缘件和绝缘支撑件设置在同轴波导内，同时中心轴的下端面低于密封绝缘件的下端面和绝缘支撑件的下端面，密封绝缘件和绝缘支撑件远离等离子体从而避免被等离子体刻蚀。进气口和出气口采用水平进气和出气方式，有利于在衬底上形成高质量、高均匀性的外延生长。本发明解决了反应腔中大功率微波馈入问题，并实现稳定可靠的真空密封，同时保证反应气体的均匀性。 |
