一种可适应多尺寸衬底厚度变化的MPCVD基片台
基本信息
| 申请号 | CN201911341285.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113025997A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113025997A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C23C16/458;C23C16/27;C23C16/511 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘胜;杨柏;甘志银;沈桥 | 申请（专利权）人 | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 528251 广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可适应多尺寸衬底生长过程中厚度变化的MPCVD基片台，主要包括基片台、衬底环、顶针推杆平台、电机传导推杆和电机，衬底环放置在基片台的凹槽中，凹槽中设置若干通孔，顶针推杆平台顶部的顶针穿过通孔与衬底环底部连接，顶针推杆平台底部与电机传导推杆顶部固定连接，电机运转推动电机传导推杆，并带动顶针推杆平台及与其连接的衬底环上下垂直运动。本发明设计的衬底环自动上下垂直升降机构，可以实现衬底在生长过程中保证衬底托随衬底的厚度变化进行实时调整，可以有效在MPCVD装置中改善金刚石生长后的表面质量。 |
