一种金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积使用的基片台
基本信息
| 申请号 | CN201911341286.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113025998A | 公开（公告）日 | 2021-06-25 |
| 申请公布号 | CN113025998A | 申请公布日 | 2021-06-25 |
| 分类号 | C23C16/458;C23C16/27;C23C16/511 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘胜;甘志银;汪启军;沈桥 | 申请（专利权）人 | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 528251 广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种利用热管理与磁场导引等离子结合的基片台，通过在基片台中隐埋不同导热率的材料进行热管理设计达到平衡等离子不同区域的温度，减少高温等离子体轰击衬底时形成的衬底温度水平方面的温度梯度。另外就是在基片台中安装磁铁，通过磁场对等离子导引，以及隐埋软磁材料改变等离子的形状分布，进一步提高衬底温度有效区的大小以及等离子的均匀性。本发明的优点是可以显著提高金刚石微波等离子体化学气相沉积工艺的薄膜沉积的有效面积，以及改善等离子的密度分布，装置简单，便于实施。 |
