带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN201811565248.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111349911A | 公开（公告）日 | 2020-06-30 |
| 申请公布号 | CN111349911A | 申请公布日 | 2020-06-30 |
| 分类号 | C23C16/48(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘胜;甘志银;东芳;梁康 | 申请（专利权）人 | 广东众元半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 528251广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种带激光直写的分子束外延薄膜生长装置及方法，主要包括：2个及2个以上的发射源、反射高能电子衍射仪（RHEED）、RHEED对应的衍射接收屏、衬底安置台、其他在线监测装置、激光直写装置等，本发明的特点为在薄膜生长过程中利用激光直写对薄膜进行图形化。薄膜每沉积一定的厚度便用激光对其表面进行图形化，此过程反复进行，图形化的作用一为释放生长薄膜的应力，二为促使薄膜侧向外延生长，从而提高外延生长的质量和均匀性。 |
