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一种圆片级深紫外LED的封装方式

基本信息

申请号	CN201811263165.2	申请日	-
公开（公告）号	CN111106221A	公开（公告）日	2020-05-05
申请公布号	CN111106221A	申请公布日	2020-05-05
分类号	H01L33/48;H01L33/54	分类	基本电气元件;
发明人	刘胜;甘志银;严晗	申请（专利权）人	广东众元半导体科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	528251 广东省佛山市南海区平洲南港大街5号1楼
法律状态	-

摘要

本发明为一种圆片级深紫外LED的封装方式。首先对深紫外LED芯片单元外延层边缘进行刻蚀，并且刻蚀到衬底层，然后用绝缘层一对芯片除N层与P层电极接触以外的地方进行绝缘包封，绝缘层一材料为SiO₂或Si₃N₄，再通过溅射与蒸发工艺，制作基板焊接电极引出电路，基板材料采用Si片或者陶瓷片，并将深紫外LED芯片通过表面贴片工艺焊接在基板上，另外在焊接有深紫外LED芯片的基板上沉积绝缘层二，用绝缘层二将基板与深紫外LED芯片进行包封，最后根据芯片尺寸，对基板进行激光切割。本发明使用简单的封装就可以使芯片整体与使用环境进行隔离，达到保护芯片的目的，同时本发明工艺简单，在保证深紫外LED的出光效率的前提下，大大降低了深紫外LED封装的成本。